DDTC114WUA-7-F

Teknik Özellikler

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Max Power Dissipation

200mW

Max Breakdown Voltage

50V

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Hfemin

24

Uzunluk

2.2mm

Akım Değeri

100mA

Resistor Base R1

10 k Ω

Yayın Yılı

2007

Voltage Rated Dc

50V

Transistor Type

NPN - Pre-Biased

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Weight

2.012816mg

Kurşunsuz Kodu

yes

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Polarity

NPN

Current Collector Cutoff Max

500nA

Additional Feature

BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 0.47

HTS Kodu

8541.21.00.75

Temel Parça No

DDTC114

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Genişlik

1.35mm

Resistor Emitter Base R2

4.7 k Ω

Continuous Collector Current

100mA

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

24 @ 10mA 5V

Transition Frequency

250MHz

Collector Emitter Voltage Vceo

300mV

Number Of Elements

1

Fabrika Tedarik Süresi

19 Weeks

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Pin Sayısı

3

Yükseklik

1mm

Terminal Pozisyonu

DUAL

Element Configuration

Single

Vce Saturation Max Ib Ic

300mV @ 500μA, 10mA

JESD-609 Kodu

e3

ECCN Kodu

EAR99

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Pin Sayısı

3