DDTC113TE-7-F

Teknik Özellikler

Fabrika Tedarik Süresi

19 Weeks

Number Of Elements

1

Transition Frequency

250MHz

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

100 @ 1mA 5V

Terminal Pozisyonu

DUAL

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Yüzey Montaj

YES

JESD-609 Kodu

e3

Resistor Base R1

1 k Ω

Power Max

150mW

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR

Vce Saturation Max Ib Ic

300mV @ 1mA, 10mA

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Transistor Type

NPN - Pre-Biased

Currentcollector Ic Max

100mA

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Yayın Yılı

2007

ECCN Kodu

EAR99

Terminal Formu

GULL WING

Pin Sayısı

3

Terminal Sayısı

3

Transistor Element Material

SILICON

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Polaritychannel Type

NPN

Qualification Status

Not Qualified

Parça Durumu

Active

Kurşunsuz Kodu

yes

Frequency Transition

250MHz

Operating Temperature Max

150°C

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

50V

HTS Kodu

8541.21.00.75

Additional Feature

BUILT-IN BIAS RESISTOR

Jesd30 Code

R-PDSO-G3

Current Collector Cutoff Max

500nA ICBO

Power Dissipationmax Abs

0.15W

Kılıf / Paket

SOT-523

Temel Parça No

DDTC113

Montaj Tipi

Surface Mount

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260