Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Additional Feature
- BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10, HIGH RELIABILITY
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn)
- Terminal Formu
- GULL WING
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 80 @ 10mA 5V
- Max Power Dissipation
- 200mW
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 300mV @ 250μA, 5mA
- Configuration
- SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Resistor Base R1
- 4.7k Ω
- Frequency Transition
- 250MHz
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Transition Frequency
- 250MHz
- ECCN Kodu
- EAR99
- Max Collector Current
- 100mA
- Reference Standard
- AEC-Q101
- Polaritychannel Type
- NPN
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Montaj
- Surface Mount
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 50V
- Power Max
- 200mW
- Operating Temperature Min
- -55°C
- Number Of Elements
- 2
- Terminal Sayısı
- 6
- Fabrika Tedarik Süresi
- 19 Weeks
- Resistor Emitter Base R2
- 47k Ω
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 300mV
- Parça Durumu
- Active
- Max Breakdown Voltage
- 50V
- Jesd30 Code
- R-PDSO-G6
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Kılıf / Paket
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- JESD-609 Kodu
- e3
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Transistor Element Material
- SILICON
- Current Collector Cutoff Max
- 500nA
- Transistor Type
- 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
- Yayın Yılı
- 2014
İlgili Ürünler
Panjit
2SC164S_R1_00001
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX114EUQ-13R
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX114EUQ-7R
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX114YUQ-13R
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX114YUQ-7R
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX115EUQ-13R
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX115EUQ-7R
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX124EUQ-13R
BJT Transistors Arrays