Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Akım Değeri
- -100mA
- Number Of Elements
- 2
- Hfemin
- 100
- Kılıf / Paket
- SOT-363
- Additional Feature
- BUILT-IN BIAS RESISTOR
- Terminal Sayısı
- 6
- Transistor Element Material
- SILICON
- Pin Sayısı
- 6
- Max Power Dissipation
- 200mW
- ECCN Kodu
- EAR99
- Element Configuration
- Dual
- Max Collector Current
- 100mA
- Transition Frequency
- 250MHz
- HTS Kodu
- 8541.21.00.75
- Qualification Status
- Not Qualified
- Terminal Formu
- GULL WING
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Montaj
- Surface Mount
- JESD-609 Kodu
- e0
- Voltage Rated Dc
- -50V
- Terminal Kaplaması
- Tin/Lead (Sn85Pb15)
- Yayın Yılı
- 2007
- Kurşunsuz
- Contains Lead
- Jesd30 Code
- R-PDSO-G6
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 300mV
- Dc Current Gainmin Hfe
- 100
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 10
- Polarity
- PNP
- Parça Durumu
- Discontinued
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 50V
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Max Breakdown Voltage
- 50V
- REACH Uyumluluk Kodu
- not_compliant
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 235
İlgili Ürünler
Stokta
Panjit
2SC164S_R1_00001
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX114EUQ-13R
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX114EUQ-7R
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX114YUQ-13R
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX114YUQ-7R
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX115EUQ-13R
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX115EUQ-7R
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX124EUQ-13R
BJT Transistors Arrays