
Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Number Of Channels
- 2
- Max Breakdown Voltage
- 50V
- Yükseklik
- 1mm
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Yayın Yılı
- 2007
- Emitter Base Voltage Vebo
- 5V
- Temel Parça No
- DCX114
- Kılıf / Paket
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Terminal Formu
- GULL WING
- Terminal Sayısı
- 6
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Element Configuration
- Dual
- JESD-609 Kodu
- e3
- Transistor Type
- 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
- Akım Değeri
- 70mA
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Voltage Rated Dc
- 50V
- Polarity
- NPN, PNP
- Hfemin
- 100
- Additional Feature
- BUILT IN RESISTOR RATIO IS 4.7
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn)
- Pin Sayısı
- 6
- Pin Sayısı
- 6
- Continuous Collector Current
- 100mA
- Weight
- 6.010099mg
- Montaj
- Surface Mount
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Min. Çalışma Sıcaklığı
- -55°C
- Frequency Transition
- 250MHz
- Number Of Elements
- 2
- Max Power Dissipation
- 200mW
- Genişlik
- 1.35mm
- Current Collector Cutoff Max
- 500nA
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- ECCN Kodu
- EAR99
- Resistor Emitter Base R2
- 47k Ω
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- 150°C
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 50V
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 300mV @ 250μA, 5mA
- Transition Frequency
- 250MHz
İlgili Ürünler
Aptina
EMD4DXV6T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5111DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5114DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5116DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5211DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5213DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5214DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5232DW1T1G
BJT Transistors Arrays

