Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Max Collector Current
- 100mA
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 100 @ 1mA 5V
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 50V
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Transistor Type
- 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
- Weight
- 3.005049mg
- Parça Durumu
- Active
- Fabrika Tedarik Süresi
- 19 Weeks
- Montaj
- Surface Mount
- Continuous Collector Current
- 100mA
- Additional Feature
- BUILT-IN BIAS RESISTOR
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn)
- Pin Sayısı
- 6
- Pin Sayısı
- 6
- Polarity
- NPN, PNP
- Hfemin
- 100
- Terminal Formu
- FLAT
- ECCN Kodu
- EAR99
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- 150°C
- Genişlik
- 1.2mm
- Frequency Transition
- 250MHz
- Number Of Elements
- 2
- Max Power Dissipation
- 150mW
- Kılıf / Paket
- SOT-563, SOT-666
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Temel Parça No
- DCX114
- Current Collector Cutoff Max
- 500nA ICBO
- Yayın Yılı
- 2007
- Min. Çalışma Sıcaklığı
- -55°C
- Yükseklik
- 600μm
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Number Of Channels
- 2
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Uzunluk
- 1.6mm
- Resistor Base R1
- 10k Ω
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- JESD-609 Kodu
- e3
- Element Configuration
- Dual
İlgili Ürünler
Aptina
EMD4DXV6T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5111DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5114DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5116DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5211DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5213DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5214DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5232DW1T1G
BJT Transistors Arrays