Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Fabrika Tedarik Süresi
- 19 Weeks
- Parça Durumu
- Active
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 50V
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 30 @ 5mA 5V
- Max Collector Current
- 100mA
- Transition Frequency
- 250MHz
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 50V
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 300mV @ 500μA, 10mA
- Uzunluk
- 2.2mm
- Resistor Base R1
- 10k Ω
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Min. Çalışma Sıcaklığı
- -55°C
- Radyasyon Dayanımı
- No
- ECCN Kodu
- EAR99
- Resistor Emitter Base R2
- 10k Ω
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- 150°C
- Current Collector Cutoff Max
- 500nA
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Max Power Dissipation
- 200mW
- Number Of Elements
- 2
- Frequency Transition
- 250MHz
- Genişlik
- 1.35mm
- Pin Sayısı
- 6
- Pin Sayısı
- 6
- Additional Feature
- BUILT IN RESISTOR RATIO IS 1
- Hfemin
- 100
- Voltage Rated Dc
- 50V
- Polarity
- NPN, PNP
- Montaj
- Surface Mount
- Weight
- 6.010099mg
- Continuous Collector Current
- 100mA
- Transistor Type
- 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Akım Değeri
- 100mA
- Element Configuration
- Dual
- Contact Plating
- Tin
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
İlgili Ürünler
Aptina
EMD4DXV6T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5111DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5114DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5116DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5211DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5213DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5214DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5232DW1T1G
BJT Transistors Arrays