Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 50V
- Terminal Sayısı
- 6
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 300mV @ 500μA, 10mA
- Transition Frequency
- 250MHz
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 235
- Element Configuration
- Dual
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Resistor Base R1
- 10k Ω
- JESD-609 Kodu
- e0
- Qualification Status
- Not Qualified
- Max Breakdown Voltage
- 50V
- Min. Çalışma Sıcaklığı
- -55°C
- Yayın Yılı
- 2006
- Max Power Dissipation
- 200mW
- Number Of Elements
- 2
- REACH Uyumluluk Kodu
- not_compliant
- Frequency Transition
- 250MHz
- Current Collector Cutoff Max
- 500nA
- Emitter Base Voltage Vebo
- 5V
- Temel Parça No
- DCX114
- RoHS Durumu
- Non-RoHS Compliant
- Kılıf / Paket
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Terminal Formu
- GULL WING
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- 150°C
- Resistor Emitter Base R2
- 10k Ω
- ECCN Kodu
- EAR99
- Voltage Rated Dc
- 50V
- Polarity
- NPN, PNP
- Hfemin
- 100
- Terminal Kaplaması
- Tin/Lead (Sn85Pb15)
- Additional Feature
- BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
- Pin Sayısı
- 6
- Pin Sayısı
- 6
- Kurşunsuz
- Contains Lead
- Power Dissipation
- 200mW
- Continuous Collector Current
- 100mA
- Parça Durumu
- Discontinued
- Montaj
- Surface Mount
- HTS Kodu
- 8541.21.00.75
- Transistor Type
- 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
İlgili Ürünler
Aptina
EMD4DXV6T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5111DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5114DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5116DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5211DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5213DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5214DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5232DW1T1G
BJT Transistors Arrays