
Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- ECCN Kodu
- EAR99
- Resistor Emitter Base R2
- 10k Ω
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- 150°C
- Frequency Transition
- 250MHz
- Max Power Dissipation
- 200mW
- Genişlik
- 1.35mm
- Current Collector Cutoff Max
- 500nA ICBO
- Emitter Base Voltage Vebo
- 5V
- Kılıf / Paket
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Yükseklik
- 1mm
- Min. Çalışma Sıcaklığı
- -55°C
- Yayın Yılı
- 2016
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Uzunluk
- 2.2mm
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Resistor Base R1
- 10k Ω
- JESD-609 Kodu
- e3
- Element Configuration
- Dual
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 50V
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 300mV @ 500μA, 10mA
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Collectoremitter Saturation Voltage
- 300mV
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 30
- Max Collector Current
- 100mA
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 100 @ 1mA 5V
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 300mV
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Transistor Type
- 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
- Parça Durumu
- Active
- Fabrika Tedarik Süresi
- 19 Weeks
- Montaj
- Surface Mount
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn)
- Pin Sayısı
- 6
İlgili Ürünler
Aptina
EMD4DXV6T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5111DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5114DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5116DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5211DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5213DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5214DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5232DW1T1G
BJT Transistors Arrays

