BSS84V-7

Teknik Özellikler

Vgsth Max Id

2V @ 1mA

Uzunluk

1.6mm

Element Configuration

Dual

Yayın Yılı

2013

Terminal Sayısı

6

Contact Plating

Tin

Transistor Application

SWITCHING

Fet Feature

Logic Level Gate

JESD-609 Kodu

e3

ECCN Kodu

EAR99

Fabrika Tedarik Süresi

19 Weeks

Fet Type

2 P-Channel (Dual)

Kılıf / Paket

SOT-563, SOT-666

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Reach Svhc

No SVHC

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Drain Currentmax Abs Id

0.13A

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Power Dissipation

150mW

Transistor Element Material

SILICON

Kurşunsuz

Lead Free

Kurşunsuz Kodu

yes

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Max Power Dissipation

150mW

Pin Sayısı

6

Pin Sayısı

6

Drain To Source Breakdown Voltage

-50V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Turn Off Delay Time

18 ns

Continuous Drain Current Id

130mA

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Weight

3.005049mg

Montaj

Surface Mount

Gate To Source Voltage Vgs

15V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Turn On Delay Time

10 ns

Terminal Formu

FLAT

Rds On Max Id Vgs

10 Ω @ 100mA, 5V

Drain To Source Voltage Vdss

50V

Direnç

10Ohm