BC857BS-7-F

Teknik Özellikler

Power Dissipation

200mW

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Collector Base Voltage Vcbo

-50V

Polarity

PNP

Collectoremitter Breakdown Voltage

-45V

ECCN Kodu

EAR99

Max Power Dissipation

200mW

Contact Plating

Tin

Emitter Base Voltage Vebo

-5V

Transistor Element Material

SILICON

Collectoremitter Saturation Voltage

-400mV

Radyasyon Dayanımı

No

Terminal Formu

GULL WING

Yükseklik

1mm

Current Collector Cutoff Max

15nA ICBO

Transistor Application

SWITCHING

Kurşunsuz Kodu

yes

Max Collector Current

100mA

Gain Bandwidth Product

100MHz

Uzunluk

2.2mm

Reach Svhc

No SVHC

Vce Saturation Max Ib Ic

400mV @ 5mA, 100mA

Fabrika Tedarik Süresi

15 Weeks

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Transition Frequency

100MHz

Element Configuration

Dual

Max Breakdown Voltage

45V

Kılıf / Paket

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Terminal Sayısı

6

Yayın Yılı

2007

Pin Sayısı

6

Genişlik

1.35mm

Pin Sayısı

6

Transistor Type

2 PNP (Dual)

HTS Kodu

8541.21.00.95

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Number Of Elements

2

JESD-609 Kodu

e3

Parça Durumu

Active