BC856AS-7

Teknik Özellikler

Transistor Type

2 PNP (Dual)

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Number Of Elements

2

Parça Durumu

Active

JESD-609 Kodu

e3

Weight

6.010099mg

Kurşunsuz

Lead Free

Frekans

100MHz

Max Breakdown Voltage

65V

Kılıf / Paket

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Yayın Yılı

2007

Transistor Element Material

SILICON

Collectoremitter Saturation Voltage

-250mV

Radyasyon Dayanımı

No

Yükseklik

1mm

Current Collector Cutoff Max

15nA

Transistor Application

SWITCHING

Gain Bandwidth Product

100MHz

Uzunluk

2.2mm

Temel Parça No

BC856AS

Power Dissipation

200mW

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Collector Base Voltage Vcbo

80V

Collectoremitter Breakdown Voltage

65V

Pin Sayısı

6

Collector Emitter Voltage Vceo

65V

Çalışma Sıcaklığı

-65°C~150°C TJ

Montaj

Surface Mount

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

125 @ 2mA 5V

Montaj Tipi

Surface Mount

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Transition Frequency

100MHz

Element Configuration

Dual

Hfemin

125

Terminal Sayısı

6

Pin Sayısı

6

Genişlik

1.35mm

Terminal Formu

GULL WING