Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Reverse Recovery Time
- 50ns
- Operating Temperature Junction
- -65°C~150°C
- Diode Element Material
- SILICON
- Diode Configuration
- 1 Pair Series Connection
- Number Of Elements
- 2
- Yayın Yılı
- 2010
- Diode Type
- Standard
- HTS Kodu
- 8541.10.00.70
- JESD-609 Kodu
- e3
- Speed
- Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Reverse Test Voltage
- 200V
- Terminal Sayısı
- 3
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn)
- Output Currentmax
- 0.4A
- ECCN Kodu
- EAR99
- Current Average Rectified Io
- 400mA DC
- Nonrep Pk Forward Currentmax
- 1.7A
- Current Reverse Leakage Vr
- 100nA @ 200V
- Reverse Currentmax
- 0.1μA
- Number Of Phases
- 1
- Pin Sayısı
- 3
- Terminal Formu
- GULL WING
- Additional Feature
- LOW LEAKAGE CURRENT
- Voltage Dc Reverse Vr Max
- 200V
- Operating Temperature Max
- 150°C
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Voltage Forward Vf Max If
- 1.25V @ 200mA
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Yüzey Montaj
- YES
- Parça Durumu
- Active
- Fabrika Tedarik Süresi
- 19 Weeks
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Reference Standard
- AEC-Q101
- Jesd30 Code
- R-PDSO-G3
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Power Dissipation Max
- 0.35W
- Rep Pk Reverse Voltagemax
- 250V
- Kılıf / Paket
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Applications
- HIGH VOLTAGE FAST RECOVERY