BAS70LP-7B

Teknik Özellikler

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Number Of Elements

1

Parça Durumu

Active

Contact Plating

Gold

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Current Average Rectified Io

70mA DC

Power Dissipation

430mW

Max Repetitive Reverse Voltage Vrrm

70V

Max Reverse Voltage Dc

70V

Kapasitans

1pF

Reverse Recovery Time

1.6 ns

Temel Parça No

BAS70LP

Voltage Forward Vf Max If

960mV @ 15mA

Min. Çalışma Sıcaklığı

-65°C

Pin Sayısı

2

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Radyasyon Dayanımı

No

Terminal Sayısı

2

Kurşunsuz

Lead Free

Reverse Voltage

70V

Average Rectified Current

70mA

Fabrika Tedarik Süresi

19 Weeks

Current Reverse Leakage Vr

10μA @ 70V

Element Configuration

Single

Capacitance Vr F

1pF @ 0V 1MHz

Reach Svhc

No SVHC

Forward Voltage

960mV

Peak Reverse Current

100nA

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Forward Current

70mA

Yükseklik

530μm

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Diode Element Material

SILICON

Max Junction Temperature Tj

150°C

Speed

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Peak Nonrepetitive Surge Current

800mA

ECCN Kodu

EAR99

Operating Temperature Junction

-65°C~150°C