BAS116LP3-7

Teknik Özellikler

Current Average Rectified Io

215mA DC

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

Max Surge Current

4A

Average Rectified Current

215mA

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Max Power Dissipation

250mW

Montaj

Surface Mount

Peak Nonrepetitive Surge Current

4A

Montaj Tipi

Surface Mount

Diode Element Material

SILICON

JESD-609 Kodu

e3

Max Repetitive Reverse Voltage Vrrm

85V

Yükseklik

645μm

Kurşunsuz

Lead Free

Speed

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Fabrika Tedarik Süresi

19 Weeks

Capacitance Vr F

3pF @ 0V 1MHz

Genişlik

345μm

Terminal Formu

NO LEAD

Pin Sayısı

2

Voltage Forward Vf Max If

1.35V @ 150mA

Kurşunsuz Kodu

yes

Terminal Sayısı

2

Number Of Elements

1

Recovery Time

120 ns

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Diode Type

Standard

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Peak Reverse Current

500nA

Power Rating

250mW

HTS Kodu

8541.10.00.70

Parça Durumu

Active

Element Configuration

Single

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Kılıf / Paket

0201 (0603 Metric)

Reverse Recovery Time

3 μs

Max Reverse Voltage Dc

85V

Reach Svhc

No SVHC