B1100-13-F

Teknik Özellikler

Montaj Tipi

Surface Mount

Forward Current

1A

Fabrika Tedarik Süresi

20 Weeks

Capacitance Vr F

80pF @ 4V 1MHz

Kurşunsuz

Lead Free

Operating Temperature Junction

-65°C~150°C

Max Junction Temperature Tj

150°C

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

JESD-609 Kodu

e3

Element Configuration

Single

Max Forward Surge Current Ifsm

30A

Diode Element Material

SILICON

Speed

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Terminal Sayısı

2

Kapasitans

80pF

Output Current

1A

Akım

1A

Additional Feature

LOW POWER LOSS, FREE WHEELING DIODE

Voltage Forward Vf Max If

790mV @ 1A

Terminal Pozisyonu

DUAL

Yayın Yılı

2006

Number Of Elements

1

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Terminal Formu

C BEND

Yükseklik

2.4mm

Kılıf / Paket

DO-214AC, SMA

Weight

64.013223mg

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Min. Çalışma Sıcaklığı

-65°C

Terminal

SMD/SMT

Pin Sayısı

2

Temel Parça No

B1100

Radyasyon Dayanımı

No

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Forward Voltage

790mV

Max Reverse Voltage Dc

100V

Kurşunsuz Kodu

no

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Uzunluk

4.6mm

Gerilim

100V