
Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 300mV @ 500μA, 10mA
- Current Collector Cutoff Max
- 500nA
- Resistor Base R1
- 47k Ω
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 50V
- JESD-609 Kodu
- e3
- Jesd30 Code
- R-PDSO-G6
- Fabrika Tedarik Süresi
- 13 Weeks
- Configuration
- SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
- Number Of Elements
- 2
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Power Max
- 270mW
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn)
- Frequency Transition
- 250MHz
- Additional Feature
- HIGH RELIABILITY, BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
- Transistor Element Material
- SILICON
- Terminal Sayısı
- 6
- Transistor Type
- 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
- Currentcollector Ic Max
- 100mA
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 68 @ 5mA 5V
- Resistor Emitter Base R2
- 47k Ω
- ECCN Kodu
- EAR99
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Kılıf / Paket
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Terminal Formu
- GULL WING
- Polaritychannel Type
- NPN
- Parça Durumu
- Active
- Yüzey Montaj
- YES
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Seri
- Automotive, AEC-Q101
- Transition Frequency
- 250MHz
İlgili Ürünler
Aptina
EMD4DXV6T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5111DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5114DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5116DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5211DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5213DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5214DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5232DW1T1G
BJT Transistors Arrays

