Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Frequency Transition
- 250MHz
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn)
- Power Max
- 270mW
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Number Of Elements
- 2
- Fabrika Tedarik Süresi
- 13 Weeks
- Configuration
- SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
- Jesd30 Code
- R-PDSO-G6
- JESD-609 Kodu
- e3
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 50V
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Current Collector Cutoff Max
- 500nA
- Resistor Base R1
- 4.7k Ω
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 300mV @ 250μA, 5mA
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Seri
- Automotive, AEC-Q101
- Transition Frequency
- 250MHz
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Yüzey Montaj
- YES
- Polaritychannel Type
- NPN
- Parça Durumu
- Active
- Terminal Formu
- GULL WING
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Kılıf / Paket
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- ECCN Kodu
- EAR99
- Resistor Emitter Base R2
- 47k Ω
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 80 @ 10mA 5V
- Currentcollector Ic Max
- 100mA
- Transistor Type
- 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
- Transistor Element Material
- SILICON
- Terminal Sayısı
- 6
- Additional Feature
- HIGH RELIABILITY, BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 10
İlgili Ürünler
Aptina
EMD4DXV6T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5111DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5114DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5116DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5211DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5213DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5214DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5232DW1T1G
BJT Transistors Arrays