Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Terminal Formu
- GULL WING
- Polaritychannel Type
- NPN
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 30
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 50V
- Yüzey Montaj
- YES
- Number Of Elements
- 2
- Jesd30 Code
- R-PDSO-G6
- Parça Durumu
- Active
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Dc Current Gainmin Hfe
- 56
- Kılıf / Paket
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Seri
- Automotive, AEC-Q101
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn)
- Currentcollector Ic Max
- 100mA
- Transition Frequency
- 250MHz
- Terminal Sayısı
- 6
- Frequency Transition
- 250MHz
- JESD-609 Kodu
- e3
- Additional Feature
- HIGH RELIABILITY
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Resistor Base R1
- 22k Ω, 22k Ω
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- ECCN Kodu
- EAR99
- Configuration
- SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
- Resistor Emitter Base R2
- 22k Ω, 22k Ω
- Fabrika Tedarik Süresi
- 13 Weeks
- Power Max
- 270mW
- Transistor Type
- 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
- Transistor Element Material
- SILICON
İlgili Ürünler
Aptina
EMD4DXV6T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5111DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5114DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5116DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5211DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5213DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5214DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5232DW1T1G
BJT Transistors Arrays