Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Power Max
- 270mW
- Fabrika Tedarik Süresi
- 13 Weeks
- Transistor Type
- 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
- Transistor Element Material
- SILICON
- JESD-609 Kodu
- e3
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Additional Feature
- HIGH RELIABILITY
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Resistor Base R1
- 22k Ω, 22k Ω
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- ECCN Kodu
- EAR99
- Configuration
- SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
- Resistor Emitter Base R2
- 22k Ω, 22k Ω
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Dc Current Gainmin Hfe
- 56
- Seri
- Automotive, AEC-Q101
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn)
- Kılıf / Paket
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Currentcollector Ic Max
- 100mA
- Transition Frequency
- 250MHz
- Terminal Sayısı
- 6
- Frequency Transition
- 250MHz
- Polaritychannel Type
- NPN
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 30
- Terminal Formu
- GULL WING
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 50V
- Jesd30 Code
- R-PDSO-G6
- Parça Durumu
- Active
- Yüzey Montaj
- YES
- Number Of Elements
- 2
İlgili Ürünler
Aptina
EMD4DXV6T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5111DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5114DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5116DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5211DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5213DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5214DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5232DW1T1G
BJT Transistors Arrays