Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Number Of Elements
- 2
- Power Max
- 270mW
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 50V
- Transistor Type
- 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 30
- Dc Current Gainmin Hfe
- 80
- Polaritychannel Type
- NPN
- Fabrika Tedarik Süresi
- 13 Weeks
- Additional Feature
- BUILT IN BIAS RESISTOR, HIGH RELIABILITY
- JESD-609 Kodu
- e3
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn)
- Jesd30 Code
- R-PDSO-G6
- Terminal Sayısı
- 6
- Yüzey Montaj
- YES
- Terminal Formu
- GULL WING
- Resistor Emitter Base R2
- 10k Ω, 47k Ω
- ECCN Kodu
- EAR99
- Seri
- Automotive, AEC-Q101
- Frequency Transition
- 250MHz
- Transition Frequency
- 250MHz
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Transistor Element Material
- SILICON
- Configuration
- SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Resistor Base R1
- 10k Ω, 47k Ω
- Parça Durumu
- Active
- Kılıf / Paket
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Currentcollector Ic Max
- 100mA
İlgili Ürünler
Panjit
2SC164S_R1_00001
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX114EUQ-13R
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX114EUQ-7R
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX114YUQ-13R
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX114YUQ-7R
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX115EUQ-13R
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX115EUQ-7R
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX124EUQ-13R
BJT Transistors Arrays