
Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Additional Feature
- HIGH RELIABILITY, BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
- JESD-609 Kodu
- e3
- Fabrika Tedarik Süresi
- 13 Weeks
- Polaritychannel Type
- NPN
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Power Max
- 270mW
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 50V
- Transistor Type
- 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
- Number Of Elements
- 2
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Terminal Sayısı
- 6
- Yüzey Montaj
- YES
- Jesd30 Code
- R-PDSO-G6
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Current Collector Cutoff Max
- 500nA
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn)
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Configuration
- SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Transistor Element Material
- SILICON
- Frequency Transition
- 250MHz
- Transition Frequency
- 250MHz
- Resistor Emitter Base R2
- 10k Ω
- ECCN Kodu
- EAR99
- Seri
- Automotive, AEC-Q101
- Terminal Formu
- GULL WING
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 300mV @ 500μA, 10mA
- Currentcollector Ic Max
- 100mA
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Kılıf / Paket
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Parça Durumu
- Active
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 30 @ 5mA 5V
- Resistor Base R1
- 10k Ω
İlgili Ürünler
Aptina
EMD4DXV6T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5111DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5114DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5116DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5211DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5213DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5214DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5232DW1T1G
BJT Transistors Arrays

