
Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Fabrika Tedarik Süresi
- 13 Weeks
- Polaritychannel Type
- NPN
- Additional Feature
- HIGH RELIABILITY, BUILT IN BIAS RESISTOR
- JESD-609 Kodu
- e3
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Number Of Elements
- 2
- Power Max
- 270mW
- Transistor Type
- 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 50V
- Terminal Sayısı
- 6
- Yüzey Montaj
- YES
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn)
- Current Collector Cutoff Max
- 500nA ICBO
- Jesd30 Code
- R-PDSO-G6
- Frequency Transition
- 250MHz
- Transition Frequency
- 250MHz
- Transistor Element Material
- SILICON
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Configuration
- SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
- Terminal Formu
- GULL WING
- Seri
- Automotive, AEC-Q101
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 100 @ 1mA 5V
- Parça Durumu
- Active
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 300mV @ 1mA, 10mA
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Kılıf / Paket
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Currentcollector Ic Max
- 100mA
- Resistor Base R1
- 1k Ω
İlgili Ürünler
Aptina
EMD4DXV6T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5111DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5114DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5116DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5211DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5213DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5214DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5232DW1T1G
BJT Transistors Arrays

