
Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Additional Feature
- HIGH RELIABILITY, BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 21.36
- Transistor Element Material
- SILICON
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 300mV @ 250μA, 5mA
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 50V
- Yüzey Montaj
- YES
- Parça Durumu
- Active
- Terminal Sayısı
- 6
- Jesd30 Code
- R-PDSO-G6
- Frequency Transition
- 250MHz
- Current Collector Cutoff Max
- 500nA
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 80 @ 10mA 5V
- Resistor Emitter Base R2
- 47k Ω
- Configuration
- SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
- Kılıf / Paket
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Transition Frequency
- 250MHz
- JESD-609 Kodu
- e3
- Resistor Base R1
- 2.2k Ω
- Terminal Formu
- GULL WING
- Number Of Elements
- 2
- Currentcollector Ic Max
- 100mA
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Polaritychannel Type
- PNP
- Power Max
- 270mW
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Seri
- Automotive, AEC-Q101
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn)
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Fabrika Tedarik Süresi
- 13 Weeks
- Transistor Type
- 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
İlgili Ürünler
Aptina
EMD4DXV6T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5111DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5114DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5116DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5211DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5213DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5214DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5232DW1T1G
BJT Transistors Arrays

