
Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Jesd30 Code
- R-PDSO-G6
- Frequency Transition
- 250MHz
- Yüzey Montaj
- YES
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 50V
- Terminal Sayısı
- 6
- Parça Durumu
- Active
- Additional Feature
- BUILT IN BIAS RESISTOR, HIGH RELIABILITY
- Transistor Element Material
- SILICON
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 30
- ECCN Kodu
- EAR99
- Resistor Base R1
- 10k Ω, 10k Ω
- JESD-609 Kodu
- e3
- Configuration
- SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
- Transition Frequency
- 250MHz
- Kılıf / Paket
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Resistor Emitter Base R2
- 10k Ω, 10k Ω
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Number Of Elements
- 2
- Currentcollector Ic Max
- 100mA
- Terminal Formu
- GULL WING
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Transistor Type
- 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Fabrika Tedarik Süresi
- 13 Weeks
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Seri
- Automotive, AEC-Q101
- Dc Current Gainmin Hfe
- 30
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn)
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Polaritychannel Type
- PNP
- Power Max
- 270mW
İlgili Ürünler
Aptina
EMD4DXV6T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5111DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5114DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5116DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5211DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5213DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5214DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5232DW1T1G
BJT Transistors Arrays

