
Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Jesd30 Code
- R-PDSO-G6
- Frequency Transition
- 250MHz
- Yüzey Montaj
- YES
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 50V
- Parça Durumu
- Active
- Terminal Sayısı
- 6
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 30
- Additional Feature
- BUILT IN BIAS RESISTOR, HIGH RELIABILITY
- Transistor Element Material
- SILICON
- ECCN Kodu
- EAR99
- Resistor Base R1
- 10k Ω, 10k Ω
- JESD-609 Kodu
- e3
- Kılıf / Paket
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Transition Frequency
- 250MHz
- Configuration
- SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
- Resistor Emitter Base R2
- 10k Ω, 10k Ω
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Number Of Elements
- 2
- Currentcollector Ic Max
- 100mA
- Terminal Formu
- GULL WING
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Transistor Type
- 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
- Fabrika Tedarik Süresi
- 13 Weeks
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn)
- Dc Current Gainmin Hfe
- 30
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Seri
- Automotive, AEC-Q101
- Polaritychannel Type
- PNP
- Power Max
- 270mW
İlgili Ürünler
Aptina
EMD4DXV6T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5111DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5114DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5116DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5211DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5213DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5214DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5232DW1T1G
BJT Transistors Arrays

