
Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Frequency Transition
- 250MHz
- Transistor Element Material
- SILICON
- Terminal Formu
- GULL WING
- Terminal Sayısı
- 6
- Configuration
- SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
- Parça Durumu
- Active
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 300mV @ 250μA, 5mA
- Additional Feature
- HIGH RELIABILITY, BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 10
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 50V
- Resistor Emitter Base R2
- 47k Ω
- JESD-609 Kodu
- e3
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Jesd30 Code
- R-PDSO-G6
- Resistor Base R1
- 4.7k Ω
- Current Collector Cutoff Max
- 500nA
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Kılıf / Paket
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Transition Frequency
- 250MHz
- Power Max
- 270mW
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- ECCN Kodu
- EAR99
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Fabrika Tedarik Süresi
- 13 Weeks
- Yüzey Montaj
- YES
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Transistor Type
- 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
- Polaritychannel Type
- NPN AND PNP
- Currentcollector Ic Max
- 100mA
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 80 @ 10mA 5V
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn)
- Number Of Elements
- 2
- Seri
- Automotive, AEC-Q101
İlgili Ürünler
Aptina
EMD4DXV6T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5111DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5114DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5116DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5211DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5213DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5214DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5232DW1T1G
BJT Transistors Arrays

