
Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Terminal Sayısı
- 6
- Frequency Transition
- 250MHz
- Transistor Element Material
- SILICON
- Terminal Formu
- GULL WING
- Configuration
- SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 300mV @ 250μA, 5mA
- Parça Durumu
- Active
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 50V
- Resistor Emitter Base R2
- 47k Ω
- Additional Feature
- HIGH RELIABILITY, BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 10
- JESD-609 Kodu
- e3
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Jesd30 Code
- R-PDSO-G6
- Current Collector Cutoff Max
- 500nA
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Resistor Base R1
- 4.7k Ω
- Transition Frequency
- 250MHz
- Kılıf / Paket
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Power Max
- 270mW
- ECCN Kodu
- EAR99
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Fabrika Tedarik Süresi
- 13 Weeks
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Transistor Type
- 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Yüzey Montaj
- YES
- Polaritychannel Type
- NPN AND PNP
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Currentcollector Ic Max
- 100mA
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 80 @ 10mA 5V
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn)
- Number Of Elements
- 2
- Seri
- Automotive, AEC-Q101
İlgili Ürünler
Aptina
EMD4DXV6T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5111DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5114DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5116DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5211DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5213DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5214DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5232DW1T1G
BJT Transistors Arrays

