1N5406-T

Teknik Özellikler

Capacitance Vr F

25pF @ 4V 1MHz

Diode Type

Standard

Max Surge Current

200A

Radyasyon Dayanımı

No

Min. Çalışma Sıcaklığı

-65°C

Montaj Tipi

Through Hole

Çap

5.3mm

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Akım Değeri

3A

Peak Reverse Current

10μA

Yayın Yılı

2006

Operating Temperature Junction

-65°C~150°C

Max Reverse Voltage Dc

600V

Montaj

Through Hole

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Forward Voltage

1V

Max Repetitive Reverse Voltage Vrrm

600V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Uzunluk

9.5mm

Number Of Phases

1

Reverse Voltage Dc

600V

HTS Kodu

8541.10.00.80

Average Rectified Current

3A

Forward Current

3A

Fabrika Tedarik Süresi

6 Weeks

Number Of Elements

1

Temel Parça No

1N5406

Kılıf / Paket

DO-201AD, Axial

Weight

1.09999g

Pin Sayısı

2

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Speed

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Kapasitans

25pF

JESD-609 Kodu

e3

Terminal Formu

WIRE

Diode Element Material

SILICON

Yükseklik

5.3mm

Genişlik

5.3mm