1N4448HLP-7

Teknik Özellikler

Yayın Yılı

2011

Forward Voltage

1.25V

Peak Nonrepetitive Surge Current

2A

Fabrika Tedarik Süresi

19 Weeks

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature Junction

-65°C~150°C

Parça Durumu

Active

Temel Parça No

1N4448H

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

Radyasyon Dayanımı

No

Voltage Rated Dc

80V

Reverse Recovery Time

4 ns

Min. Çalışma Sıcaklığı

-65°C

Terminal Sayısı

2

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Capacitance Vr F

3pF @ 0.5V 1MHz

Uzunluk

1mm

Average Rectified Current

125mA

ECCN Kodu

EAR99

Number Of Elements

1

Kılıf / Paket

0402 (1006 Metric)

Forward Current

95mA

Max Reverse Voltage Dc

80V

Diode Element Material

SILICON

Additional Feature

HIGH RELIABILITY

Recovery Time

4 ns

Genişlik

600μm

Output Current

125mA

Max Surge Current

2A

Kurşunsuz

Lead Free

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Element Configuration

Single

Akım Değeri

125mA

Peak Reverse Current

50μA

Yükseklik

470μm

Montaj

Surface Mount

Max Repetitive Reverse Voltage Vrrm

80V

Kurşunsuz Kodu

yes

Voltage Forward Vf Max If

1V @ 100mA

Current Reverse Leakage Vr

100nA @ 80V