1N4001G-T

Teknik Özellikler

Reverse Recovery Time

2 μs

Voltage Rated Dc

50V

Max Reverse Voltage Dc

50V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Peak Nonrepetitive Surge Current

30A

Montaj Tipi

Through Hole

Capacitance Vr F

8pF @ 4V 1MHz

Peak Reverse Current

5μA

Fabrika Tedarik Süresi

23 Weeks

Pin Sayısı

2

Forward Voltage

1V

Kurşunsuz Kodu

no

Speed

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Kurşunsuz

Lead Free

Min. Çalışma Sıcaklığı

-65°C

Radyasyon Dayanımı

No

Pin Sayısı

2

Forward Current

1A

Current Reverse Leakage Vr

5μA @ 50V

Kılıf / Paket

DO-204AL, DO-41, Axial

Kapasitans

8pF

Operating Temperature Junction

-65°C~175°C

Number Of Elements

1

Diode Element Material

SILICON

ECCN Kodu

EAR99

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Weight

299.994654mg

Parça Durumu

Active

Element Configuration

Single

HTS Kodu

8541.10.00.80

Yayın Yılı

2009

Reverse Voltage Dc

50V

Max Surge Current

30A

Genişlik

2.72mm

Maks. Çalışma Sıcaklığı

175°C

Terminal Sayısı

2

JESD-609 Kodu

e3

Max Repetitive Reverse Voltage Vrrm

50V

Diode Type

Standard

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260