Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Tedarikçi Cihaz Paketi
- PG-SOT363-6-1
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- 150°C
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Paket
- Tape & Reel (TR)
- Power Max
- 250mW
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Transistor Type
- 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
- Frequency Transition
- 170MHz
- Max Collector Current
- 100mA
- Number Of Elements
- 2
- Current Collector Cutoff Max
- 100nA (ICBO)
- Transistor Application
- SWITCHING
- Yayın Yılı
- 2007
- Transition Frequency
- 100MHz
- Polarity
- NPN, PNP
- Kılıf / Paket
- 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
- Max Power Dissipation
- 250mW
- Terminal Formu
- GULL WING
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 50V
- Currentcollector Ic Max
- 100mA
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Ürün Durumu
- Obsolete
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 50V
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Parça Durumu
- Not For New Designs
- Pin Sayısı
- 6
- Terminal Sayısı
- 6
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 300mV @ 500µA, 10mA
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 50V
- Additional Feature
- BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 1
- Resistor Emitter Base R2
- 47kOhms
- Fabrika Tedarik Süresi
- 26 Weeks
- Temel Parça No
- BCR08PN
- Min. Çalışma Sıcaklığı
- -65°C
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 70 @ 5mA, 5V
- Montaj
- Surface Mount
- Element Configuration
- Dual
- Contact Plating
- Tin
- Resistor Base R1
- 2.2kOhms
İlgili Ürünler
Aptina
EMD4DXV6T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5111DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5114DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5116DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5211DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5213DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5214DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5232DW1T1G
BJT Transistors Arrays

