Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Ihs Manufacturer
- COMCHIP TECHNOLOGY CO LTD
- Dc Current Gainmin Hfe
- 50
- Risk Rank
- 7.87
- Transistor Element Material
- SILICON
- Tip
- RF Bipolar Power
- Transition Frequencynom Ft
- 100 MHz
- Transistor Application
- SWITCHING
- Jesd30 Code
- R-PDSO-G3
- Package Body Material
- PLASTIC/EPOXY
- Part Life Cycle Code
- Not Recommended
- Rohs Code
- Yes
- Terminal Formu
- GULL WING
- RoHS
- Details
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 30
- Number Of Elements
- 1
- Collector Currentmax Ic
- 0.6 A
- Seri
- MMBT5551
- Collectoremitter Voltagemax
- 160 V
- REACH Uyumluluk Kodu
- compliant
- JESD-609 Kodu
- e3
- Configuration
- SINGLE
- Ambalaj
- MouseReel
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Fabrika Paket Adedi
- 3000
- Package Style
- SMALL OUTLINE
- Reflow Temperaturemax S
- 30
- Terminal Kaplaması
- TIN
- Yüzey Montaj
- YES
- Polaritychannel Type
- NPN
- Package Description
- SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
- Üretici Parça No
- MMBT5551-G
- Number Of Terminals
- 3
- Package Shape
- RECTANGULAR
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Transistor Type
- Bipolar Power
İlgili Ürünler
Microsemi Corporation
0204-125
RF BJT Transistors
Microsemi Corporation
0510-50A
RF BJT Transistors
HARTING
09022326834
RF BJT Transistors
HARTING
09023646919
RF BJT Transistors
HARTING
09030006246
RF BJT Transistors
HARTING
09030006247
RF BJT Transistors
HARTING
09031466903
RF BJT Transistors
HARTING
09032322850222
RF BJT Transistors