Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 65V
- Max Power Dissipation
- 250mW
- Frequency Transition
- 100MHz
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Max Collector Current
- 100mA
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 650mV @ 5mA, 100mA
- Fabrika Tedarik Süresi
- 10 Weeks
- Power Max
- 250mW
- Current Collector Cutoff Max
- 15nA ICBO
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Yayın Yılı
- 2015
- Kılıf / Paket
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 125 @ 2.2mA 5V
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 30
- Montaj
- Surface Mount
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Çalışma Sıcaklığı
- -65°C~150°C TJ
- Terminal Kaplaması
- Tin (Sn)
- Parça Durumu
- Active
- JESD-609 Kodu
- e3
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 650mV
- Transistor Type
- PNP
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
İlgili Ürünler
ON Semiconductor
12A02CH-TL-E
Single BJT Transistors
ON Semiconductor
12A02MH-TL-E
Single BJT Transistors
ON Semiconductor
15C01C-TB-E
Single BJT Transistors
Sanyo
15C01M-TL-E
Single BJT Transistors
ON Semiconductor
15C01SS-TL-E
Single BJT Transistors
ON Semiconductor
15C02CH-TL-E
Single BJT Transistors
ON Semiconductor
15C02MH-TL-E
Single BJT Transistors
Microchip Technology
2C2222A
Single BJT Transistors