Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Genişlik
- 1.35 mm
- Uzunluk
- 2.2 mm
- Collector Emitter Voltage Vceo Max
- 65 V
- Tedarikçi Cihaz Paketi
- SOT-363
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 200 @ 2mA, 5V
- Emitter Base Voltage Vebo
- 6 V
- RoHS
- In Transition
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 300mV @ 5mA, 100mA
- Montaj Stili
- SMD/SMT
- Collector Base Voltage Vcbo
- 80 V
- Current Collector Cutoff Max
- 15nA (ICBO)
- Çalışma Sıcaklığı
- -65°C ~ 150°C (TJ)
- Frequency Transition
- 100MHz
- Yükseklik
- 1.05 mm
- Technology
- Si
- Pd Power Dissipation
- 200 mW
- Continuous Collector Current
- 100 mA
- Fabrika Paket Adedi
- 3000
- Ambalaj
- MouseReel
- Currentcollector Ic Max
- 100mA
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 65V
- Configuration
- Dual
- Temel Ürün No
- ABC846
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- + 150 C
- Kılıf / Paket
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Transistor Polarity
- NPN, PNP
- Paket
- Tape & Reel (TR)
- Power Max
- 200mW
- Dc Current Gain Hfe Max
- 450
- Ürün Tipi
- BJTs - Bipolar Transistors
- Seri
- Automotive, AEC-Q101
- Ürün Durumu
- Active
- Transistor Type
- NPN, PNP
- Minimum Operating Temperature
- - 55 C
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors

