Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- JESD-609 Kodu
- e3
- Terminal Kaplaması
- MATTE TIN OVER NICKEL
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 30 @ 300mA 10V
- Ambalaj
- Tube
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Parça Durumu
- Active
- Transistor Type
- 2 NPN, 2 PNP
- REACH Uyumluluk Kodu
- compliant
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 1.4V @ 30mA, 300mA
- Kılıf / Paket
- 14-DIP (0.300, 7.62mm)
- Power Max
- 650mW
- Frequency Transition
- 200MHz
- Current Collector Cutoff Max
- 30nA ICBO
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 30V
- Fabrika Tedarik Süresi
- 34 Weeks
- Currentcollector Ic Max
- 500mA
- Çalışma Sıcaklığı
- -65°C~150°C TJ
- Montaj Tipi
- Through Hole
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors