Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Power Max
- 650mW
- Fabrika Tedarik Süresi
- 34 Weeks
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 40V
- Current Collector Cutoff Max
- 10nA ICBO
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Frequency Transition
- 200MHz
- Currentcollector Ic Max
- 500mA
- Montaj Tipi
- Through Hole
- Çalışma Sıcaklığı
- -65°C~150°C TJ
- JESD-609 Kodu
- e3
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Ambalaj
- Tube
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 100 @ 150mA 10V
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Terminal Kaplaması
- MATTE TIN OVER NICKEL
- Transistor Type
- 4 NPN (Quad)
- Parça Durumu
- Active
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 1V @ 50mA, 500mA
- Kılıf / Paket
- 14-DIP (0.300, 7.62mm)
- REACH Uyumluluk Kodu
- compliant
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors