MD918B

Teknik Özellikler

Power Max

2W

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

Vce Saturation Max Ib Ic

900mV @ 1mA, 10mA

Currentcollector Ic Max

50mA

Jesd30 Code

O-MBCY-W6

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

15V

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

50 @ 3mA 5V

Current Collector Cutoff Max

10nA ICBO

Terminal Sayısı

6

HTS Kodu

8541.21.00.75

Ambalaj

Bulk

RoHS Durumu

Non-RoHS Compliant

Polaritychannel Type

NPN

Power Dissipationmax Abs

0.6W

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Number Of Elements

2

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Transistor Application

AMPLIFIER

Kurşunsuz Kodu

no

Çalışma Sıcaklığı

-65°C~200°C TJ

Terminal Formu

WIRE

Frequency Transition

600MHz

Yayın Yılı

2017

Kılıf / Paket

TO-78-6 Metal Can

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Yüzey Montaj

NO

Transistor Element Material

SILICON

ECCN Kodu

EAR99

Qualification Status

Not Qualified

Pin Sayısı

8

Transistor Type

2 NPN (Dual)

Parça Durumu

Obsolete

Montaj Tipi

Through Hole

Configuration

SEPARATE, 2 ELEMENTS

Transition Frequency

600MHz

JESD-609 Kodu

e0

Terminal Kaplaması

Tin/Lead (Sn/Pb)