Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Qualification Status
- Not Qualified
- Frequency Transition
- 200MHz
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 60V
- Polaritychannel Type
- PNP
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Terminal Pozisyonu
- BOTTOM
- JESD-609 Kodu
- e3
- Configuration
- SEPARATE, 2 ELEMENTS
- Montaj Tipi
- Through Hole
- Transistor Type
- 2 PNP (Dual)
- Parça Durumu
- Obsolete
- HTS Kodu
- 8541.21.00.75
- Kılıf / Paket
- TO-78-6 Metal Can
- Transistor Element Material
- SILICON
- Terminal Formu
- WIRE
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 10
- RoHS Durumu
- Non-RoHS Compliant
- Terminal Kaplaması
- MATTE TIN (315)
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 100 @ 150mA 10V
- ECCN Kodu
- EAR99
- Currentcollector Ic Max
- 600mA
- Ambalaj
- Bulk
- Transition Frequency
- 200MHz
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Transistor Application
- SWITCHING
- Yayın Yılı
- 2017
- Terminal Sayısı
- 6
- Number Of Elements
- 2
- Yüzey Montaj
- NO
- Jesd30 Code
- O-MBCY-W6
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors