Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Çalışma Sıcaklığı
- -65°C~150°C TJ
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 40V 60V
- Power Max
- 350mW
- Current Collector Cutoff Max
- 10nA ICBO
- Polaritychannel Type
- NPN/PNP
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Yüzey Montaj
- YES
- Frequency Transition
- 300MHz 200MHz
- Parça Durumu
- Active
- Fabrika Tedarik Süresi
- 20 Weeks
- Transistor Type
- NPN, PNP
- Ambalaj
- Cut Tape (CT)
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Currentcollector Ic Max
- 600mA
- Transition Frequency
- 200MHz
- Kılıf / Paket
- SOT-23-6
- Power Dissipationmax Abs
- 0.35W
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 100 @ 150mA 10V
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 1V @ 50mA, 500mA / 1.6V @ 50mA, 500mA
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors