Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 15V
- Noise Figure Db Typ F
- 6dB @ 60MHz
- Polaritychannel Type
- NPN
- Parça Durumu
- Active
- Kılıf / Paket
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Transition Frequency
- 600MHz
- Çalışma Sıcaklığı
- -65°C~150°C TJ
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 20 @ 3mA 1V
- Ambalaj
- Cut Tape (CT)
- Power Max
- 350mW
- Yüzey Montaj
- YES
- Fabrika Tedarik Süresi
- 22 Weeks
- Configuration
- Single
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Frequency Transition
- 600MHz
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Power Dissipationmax Abs
- 0.35W
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Transistor Type
- NPN
- Currentcollector Ic Max
- 50mA
- Gain
- 11dB
İlgili Ürünler
Microsemi Corporation
0204-125
RF BJT Transistors
Microsemi Corporation
0510-50A
RF BJT Transistors
HARTING
09022326834
RF BJT Transistors
HARTING
09023646919
RF BJT Transistors
HARTING
09030006246
RF BJT Transistors
HARTING
09030006247
RF BJT Transistors
HARTING
09031466903
RF BJT Transistors
HARTING
09032322850222
RF BJT Transistors