Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Power Dissipationmax Abs
- 0.35W
- Transition Frequency
- 100MHz
- Frequency Transition
- 100MHz
- Power Max
- 350mW
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 400mV @ 10mA, 100mA
- Currentcollector Ic Max
- 100mA
- Current Collector Cutoff Max
- 50nA ICBO
- Transistor Type
- 2 NPN (Dual)
- Fabrika Tedarik Süresi
- 24 Weeks
- Ambalaj
- Cut Tape (CT)
- Yüzey Montaj
- YES
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 50V
- Kılıf / Paket
- SOT-563, SOT-666
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 300 @ 100μA 5V
- Çalışma Sıcaklığı
- -65°C~150°C TJ
- Parça Durumu
- Active
- Polaritychannel Type
- NPN
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors