Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Power Max
- 200mW
- Ambalaj
- Bulk
- Gain
- 23dB
- Fabrika Tedarik Süresi
- 24 Weeks
- Currentcollector Ic Max
- 25mA
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 15V
- Kılıf / Paket
- TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
- Noise Figure Db Typ F
- 5.5dB @ 800MHz
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Çalışma Sıcaklığı
- -65°C~200°C TJ
- Parça Durumu
- Active
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Montaj Tipi
- Through Hole
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Frequency Transition
- 1.4GHz
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 20 @ 25mA 1V
- Terminal Kaplaması
- MATTE TIN OVER NICKEL
- Transistor Type
- NPN
- JESD-609 Kodu
- e3
İlgili Ürünler
Microsemi Corporation
0204-125
RF BJT Transistors
Microsemi Corporation
0510-50A
RF BJT Transistors
HARTING
09022326834
RF BJT Transistors
HARTING
09023646919
RF BJT Transistors
HARTING
09030006246
RF BJT Transistors
HARTING
09030006247
RF BJT Transistors
HARTING
09031466903
RF BJT Transistors
HARTING
09032322850222
RF BJT Transistors