Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Yüzey Montaj
- NO
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Ambalaj
- Bulk
- Collectorbase Capacitancemax
- 1pF
- Highest Frequency Band
- ULTRA HIGH FREQUENCY B
- Power Max
- 200mW
- Frequency Transition
- 2GHz
- Number Of Elements
- 1
- Power Dissipationmax Abs
- 0.3W
- Transistor Element Material
- SILICON
- Jesd30 Code
- O-MBCY-W4
- Montaj Tipi
- Through Hole
- Kılıf / Paket
- TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
- Noise Figure Db Typ F
- 4.5dB @ 200MHz
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 25 @ 3mA 1V
- Çalışma Sıcaklığı
- -65°C~200°C TJ
- Transistor Type
- NPN
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 12V
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Currentcollector Ic Max
- 50mA
- Gain
- 15dB
- Terminal Formu
- WIRE
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Transistor Application
- AMPLIFIER
- Transition Frequency
- 900MHz
- Parça Durumu
- Active
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Configuration
- SINGLE
- Vcesatmax
- 0.4 V
- Fabrika Tedarik Süresi
- 24 Weeks
- Terminal Sayısı
- 4
- Terminal Pozisyonu
- BOTTOM
- JESD-609 Kodu
- e3
- Polaritychannel Type
- NPN
İlgili Ürünler
Microsemi Corporation
0204-125
RF BJT Transistors
Microsemi Corporation
0510-50A
RF BJT Transistors
HARTING
09022326834
RF BJT Transistors
HARTING
09023646919
RF BJT Transistors
HARTING
09030006246
RF BJT Transistors
HARTING
09030006247
RF BJT Transistors
HARTING
09031466903
RF BJT Transistors
HARTING
09032322850222
RF BJT Transistors