Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Power Max
- 600mW
- Transistor Type
- 2 PNP (Dual)
- Montaj Tipi
- Through Hole
- Terminal Sayısı
- 6
- Transition Frequency
- 100MHz
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 150 @ 1mA 5V
- Ambalaj
- Bulk
- Number Of Elements
- 2
- JESD-609 Kodu
- e0
- Terminal Formu
- WIRE
- REACH Uyumluluk Kodu
- not_compliant
- Power Dissipationmax Abs
- 0.5W
- RoHS Durumu
- Non-RoHS Compliant
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Jesd30 Code
- O-MBCY-W6
- Yüzey Montaj
- NO
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Additional Feature
- LOW NOISE
- Qualification Status
- Not Qualified
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 60V
- Polaritychannel Type
- PNP
- Transistor Element Material
- SILICON
- Terminal Pozisyonu
- BOTTOM
- Kılıf / Paket
- TO-78-6 Metal Can
- Configuration
- SEPARATE, 2 ELEMENTS
- Currentcollector Ic Max
- 50mA
- Kurşunsuz Kodu
- no
- HTS Kodu
- 8541.21.00.95
- Terminal Kaplaması
- Tin/Lead (Sn/Pb)
- Frequency Transition
- 100MHz
- Parça Durumu
- Obsolete
- Yayın Yılı
- 2017
- ECCN Kodu
- EAR99
- Operating Temperature Max
- 175°C
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors