Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Power Max
- 600mW
- Transistor Type
- 2 NPN (Dual)
- Terminal Sayısı
- 6
- Montaj Tipi
- Through Hole
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 100 @ 10μA 5V
- Transition Frequency
- 40MHz
- Number Of Elements
- 2
- Ambalaj
- Bulk
- JESD-609 Kodu
- e0
- REACH Uyumluluk Kodu
- not_compliant
- Terminal Formu
- WIRE
- Jesd30 Code
- O-MBCY-W6
- RoHS Durumu
- Non-RoHS Compliant
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Power Dissipationmax Abs
- 0.3W
- Yüzey Montaj
- NO
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Qualification Status
- Not Qualified
- Additional Feature
- LOW NOISE
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Transistor Element Material
- SILICON
- Polaritychannel Type
- NPN
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 45V
- Kılıf / Paket
- TO-78-6 Metal Can
- Terminal Pozisyonu
- BOTTOM
- HTS Kodu
- 8541.21.00.95
- Kurşunsuz Kodu
- no
- Configuration
- SEPARATE, 2 ELEMENTS
- Currentcollector Ic Max
- 30mA
- Parça Durumu
- Obsolete
- Frequency Transition
- 40MHz
- Terminal Kaplaması
- Tin/Lead (Sn/Pb)
- Operating Temperature Max
- 175°C
- ECCN Kodu
- EAR99
- Yayın Yılı
- 2017
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors