Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Terminal Sayısı
- 6
- Montaj Tipi
- Through Hole
- Transition Frequency
- 40MHz
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 100 @ 10μA 5V
- Power Max
- 600mW
- Transistor Type
- 2 NPN (Dual)
- Terminal Formu
- WIRE
- REACH Uyumluluk Kodu
- not_compliant
- Power Dissipationmax Abs
- 0.3W
- Jesd30 Code
- O-MBCY-W6
- RoHS Durumu
- Non-RoHS Compliant
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Ambalaj
- Bulk
- Number Of Elements
- 2
- JESD-609 Kodu
- e0
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Polaritychannel Type
- NPN
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 45V
- Transistor Element Material
- SILICON
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Yüzey Montaj
- NO
- Qualification Status
- Not Qualified
- Additional Feature
- LOW NOISE
- Terminal Kaplaması
- Tin/Lead (Sn/Pb)
- Parça Durumu
- Obsolete
- Frequency Transition
- 40MHz
- Yayın Yılı
- 2017
- Operating Temperature Max
- 175°C
- ECCN Kodu
- EAR99
- Kılıf / Paket
- TO-78-6 Metal Can
- Terminal Pozisyonu
- BOTTOM
- Currentcollector Ic Max
- 30mA
- Configuration
- SEPARATE, 2 ELEMENTS
- HTS Kodu
- 8541.21.00.95
- Kurşunsuz Kodu
- no
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors