Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Max Power Dissipation
- 200mW
- Min. Çalışma Sıcaklığı
- -65°C
- Continuous Collector Current
- 35mA
- Parça Durumu
- Obsolete
- Ambalaj
- Bulk
- Frequency Transition
- 8GHz
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 10V
- Gain
- 7.5dB
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Collector Base Voltage Vcbo
- 20V
- Element Configuration
- Single
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 10V
- Noise Figure Db Typ F
- 1.9dB @ 2GHz
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 80 @ 5mA 3V
- Montaj
- Surface Mount
- Çalışma Sıcaklığı
- 150°C TJ
- Max Collector Current
- 35mA
- Tedarikçi Cihaz Paketi
- SOT-363
- Currentcollector Ic Max
- 35mA
- Kılıf / Paket
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- 150°C
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Transistor Type
- 2 NPN (Dual)
- Polarity
- NPN
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 10V
- Power Max
- 200mW
- Pin Sayısı
- 6
İlgili Ürünler
Microsemi Corporation
0204-125
RF BJT Transistors
Microsemi Corporation
0510-50A
RF BJT Transistors
HARTING
09022326834
RF BJT Transistors
HARTING
09023646919
RF BJT Transistors
HARTING
09030006246
RF BJT Transistors
HARTING
09030006247
RF BJT Transistors
HARTING
09031466903
RF BJT Transistors
HARTING
09032322850222
RF BJT Transistors