
Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 9.2V
- Output Power
- 800mW
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Max Frequency
- 10GHz
- Tedarikçi Cihaz Paketi
- 3-PowerMiniMold
- Montaj
- Surface Mount
- Max Collector Current
- 500mA
- Continuous Collector Current
- 500mA
- Min. Çalışma Sıcaklığı
- -65°C
- Currentcollector Ic Max
- 500mA
- Power Dissipation
- 1.8W
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- 150°C
- Gain
- 23dB
- Max Breakdown Voltage
- 9.2V
- Element Configuration
- Single
- Collector Base Voltage Vcbo
- 20V
- Frekans
- 900MHz
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Emitter Base Voltage Vebo
- 2.8V
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Temel Parça No
- NESG2501
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 80 @ 100mA 3V
- Hfemin
- 80
- Transistor Type
- NPN
- Pin Sayısı
- 3
- Max Power Dissipation
- 1.5W
- Kılıf / Paket
- TO-243AA
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 9.2V
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 9.2V
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Ambalaj
- Cut Tape (CT)
- Frequency Transition
- 10GHz
- Parça Durumu
- Obsolete
- Number Of Elements
- 1
- Polarity
- NPN
- Power Max
- 1.5W
İlgili Ürünler
Microsemi Corporation
0204-125
RF BJT Transistors
Microsemi Corporation
0510-50A
RF BJT Transistors
HARTING
09022326834
RF BJT Transistors
HARTING
09023646919
RF BJT Transistors
HARTING
09030006246
RF BJT Transistors
HARTING
09030006247
RF BJT Transistors
HARTING
09031466903
RF BJT Transistors
HARTING
09032322850222
RF BJT Transistors

