Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Hfemin
- 250
- Power Max
- 1.2W
- Element Configuration
- Single
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 12V
- Kılıf / Paket
- TO-243AA
- Tedarikçi Cihaz Paketi
- SOT-89
- Üretici Parça No
- NE856M02-T1-AZ
- Package Description
- ,
- Max Collector Current
- 100mA
- Polaritychannel Type
- NPN
- Yüzey Montaj
- YES
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Paket
- Tape & Reel (TR)
- Power Dissipation
- 1.2W
- Seri
- 532
- Pin Sayısı
- 4
- RoHS
- Details
- Collector Currentmax Ic
- 0.1 A
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Temel Parça No
- NE856
- Montaj
- Surface Mount
- Output Format
- Clipped Sine Wave
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Operating Temperaturemax
- 150 °C
- Parça Durumu
- Obsolete
- Kurşunsuz
- Lead Free
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Frequency Transition
- 6.5GHz
- Dc Current Gainmin Hfe
- 50
- Ürün Durumu
- Last Time Buy
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 12V
- Power Dissipationmax Abs
- 1.2 W
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 50 @ 20mA 10V
- Transistor Type
- NPN
- Output Power
- 1.2W
- Max Breakdown Voltage
- 12V
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 12V
- Continuous Collector Current
- 100mA
- Fabrika Paket Adedi
- 1000
- Çalışma Sıcaklığı
- 150°C TJ
İlgili Ürünler
Microsemi Corporation
0204-125
RF BJT Transistors
Microsemi Corporation
0510-50A
RF BJT Transistors
HARTING
09022326834
RF BJT Transistors
HARTING
09023646919
RF BJT Transistors
HARTING
09030006246
RF BJT Transistors
HARTING
09030006247
RF BJT Transistors
HARTING
09031466903
RF BJT Transistors
HARTING
09032322850222
RF BJT Transistors